掺锗HfAlOx薄膜的微结构与电荷存储特性的开题报告

掺锗HfAlOx薄膜的微结构与电荷存储特性的开题报告1. 研究背景和意义随着半导体器件的发展，对于高介电常数的材料需求日益增加。HfO2以其高介电常数、良好的界面特性及稳健的制备工艺成为了半导体器件中