考虑寄生参数影响的碳化硅MOSFET开关暂态分析模型

考虑寄生参数影响的碳化硅MOSFET开关暂态分析模型题目：考虑寄生参数影响的碳化硅MOSFET开关暂态分析模型摘要：碳化硅（SiC）MOSFET作为一种新型的功率半导体器件，在高压、高温和高频应用中具

MOSFET 考虑寄生参数影响的碳化硅开关暂态分析 模型 题目：考虑寄生参数影响的碳化硅MOSFET开关暂态分析模型 摘要： 碳化硅（SiC）MOSFET作为一种新型的功率半导体器件，在高压、 高温和高频应用中具有很大的潜力。然而，由于器件的寄生参数影响， 其开关特性会受到一定的影响。本论文针对碳化硅MOSFET的开关暂态 特性进行研究，考虑到寄生参数的影响，建立了一种综合模型，并进行 了模拟和分析。 关键词：碳化硅MOSFET；开关特性；寄生参数；暂态分析 引言： 随着电力电子技术的发展，碳化硅（SiC）MOSFET作为一种新型的 半导体器件，在高压、高温和高频应用中逐渐替代传统的硅（Si） MOSFET。碳化硅具有较高的击穿电压、较低的导通电阻和较高的开关 速度，使其在高性能和高效能电力电子应用中具有广泛的应用前景。然 而，由于器件的寄生参数影响，其开关特性会受到一定的影响。 方法： 本研究基于碳化硅MOSFET的电路特性和寄生参数特性，建立了一 种综合模型，用于考虑寄生参数对其开关特性的影响。首先，我们分析 了碳化硅MOSFET的物理结构和工作原理。然后，通过对碳化硅 MOSFET的寄生电容、寄生电阻和寄生电感进行建模，建立了包括寄生 参数在内的综合模型。最后，我们使用SPICE软件进行模拟和分析，验 证了模型的准确性和可行性。 结果与讨论：