低位错Ⅲ--Ⅴ族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究

低位错Ⅲ--Ⅴ族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究低位错是指晶体中由于排列不当而引起的晶格缺陷，其对材料的性能和稳定性有着重要的影响。在Ⅴ族单晶衬底材料中，InP、GaSb和