高K介质对GaN基异质结的影响的开题报告

高K介质对GaN基异质结的影响的开题报告一、选题背景及意义随着半导体技术的不断发展和应用领域的不断扩大，氮化镓（GaN）材料因其优异的物理、化学和电学性质而备受瞩目。GaN半导体是一种宽能隙半导体材料