PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究

万方数据3SiH4警si啊+si吒一 2吼警N啊+NH2．+3H+ 3SiH4+4NH3警si3 第32卷第l期 摘要：采用等离子体增强型化学气相沉积(PEc、，D)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化