漏电阻的研究的开题报告
非均匀掺杂源漏区MOSFET源/漏电阻的研究的开题报告一、选题背景MOSFET是目前集成电路中使用最广泛的器件之一,其在数字电路和模拟电路中具有重要作用。MOSFET的性能指标中,源/漏电阻是一个重要
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