碳化硅MOSFET器件及其制造方法
(19 )中华人民共和国国家知识产权局(12 )发明专利申请(10)申请公布号 CN109148566A(43)申请公布日2019.01.04(21)申请号 CN201810991188.9(22 )
碳化硅MOSFET器件及其制造方法