SiC MOSFET结构及其制造方法

(19 )中华人民共和国国家知识产权局(12 )发明专利申请(21)申请号 CN202210143467.2(22 )申请日 2022.05.09(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址