氮化镓的合成制备及展望

氮化镓的合成制备及展望现GaN 的生长，一般为700 ℃左右。较低的温度可以有效减少反应设备中NH3 的挥发程度，但低温使得分子束与NH3的反应速率减小。较小的反应速率可以在制备过程中对生成GaN 膜