水平三层流HVPE反应室流场和热场数值模拟计算研究的任务书

水平三层流HVPE反应室流场和热场数值模拟计算研究的任务书任务书一、课题背景及研究意义氮化镓（GaN）是一种重要的半导体材料，具有宽带隙、高热稳定性、高电子迁移率等优点，是制备高亮度LED、功率器件和