Ga高掺杂对ZnO的最小光学带隙和吸收带边影响的第一性原理研究

Ga高掺杂对ZnO的最小光学带隙和吸收带边影响的第一性原理研究摘要：本文采用第一性原理计算方法，研究了Ga高掺杂对ZnO光学带隙和吸收带边的影响。计算结果表明，随着Ga掺杂浓度的增加，ZnO的光学带隙

GaZnO 高掺杂对的最小光学带隙和吸收带边影响 的第一性原理研究 摘要： GaZnO 本文采用第一性原理计算方法，研究了高掺杂对光学带隙 GaZnO 和吸收带边的影响。计算结果表明，随着掺杂浓度的增加，的光 学带隙逐渐减小，吸收带边也发生了明显的蓝移，且吸收强度显著增 GaZnO 强。这些结果有望为后续研究掺杂材料的电子结构和光学性质 提供有力的理论支持。 ZnOGa 关键词：；掺杂；光学带隙；吸收带边；第一性原理计算 引言： ZnO 氧化锌（）是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景， ZnO 如光电子器件、传感器、太阳能电池等领域。研究如何改进的电子 结构和光学性质已成为一个十分热门的研究方向。其中，掺杂是一种有 ZnO 效的方法，可以改变的电子结构和光学性质。以往的研究发现，掺 ZnO 杂铜、铝等元素可以改变的电学、光学性质。然而，关于掺杂镓 GaZnO （）对的影响研究较少。镓具有较大的离子半径和较强的电子亲 ZnOGa 和力，可以影响的电子结构和光学性质。因此，研究掺杂对 ZnO 的影响有着十分重要的理论价值和应用潜力。 GaZnO 本文采用第一性原理计算方法，研究了高掺杂对的光学带 GaZnO 隙和吸收带边的影响。本研究结果对进一步探究掺杂材料的电 子结构和光学性质具有重要的理论意义。 计算方法： DFTPDOS 我们采用密度泛函理论（）和投影态密度方法（）计算了 GaZnOVASPPAW 掺杂对的电子和光学性质的影响。计算采用软件包和 赝势方法。