薄势垒混合阳极AlGaNGaN SBD器件及模型研究的任务书

薄势垒混合阳极AlGaNGaN SBD器件及模型研究的任务书任务书一、研究背景及意义随着电子技术的不断进步和发展，SBD（Schottky Barrier Diode）器件已经成为了一种重要的半导体器

AlGaNGaNSBD 薄势垒混合阳极器件及模型研究的 任务书 任务书 一、研究背景及意义 随着电子技术的不断进步和发展，SBD（SchottkyBarrierDiode） 器件已经成为了一种重要的半导体器件。SBD器件具有快速开关速度、 低漏电流、高稳定性等优点，因此在电力电子、光电子、无线电频率器 件等领域得到了广泛的应用。薄势垒混合阳极AlGaNGaNSBD器件是 一种新型的SBD器件，由于其具有低漏电流、高承受电压等优势而备受 关注。然而，由于其材料复杂性，制造工艺难度大等问题，目前该器件 还存在着很多问题需要解决。 因此，本研究旨在研究薄势垒混合阳极AlGaNGaNSBD器件的制 备工艺和性能表现，建立可靠的数学模型，为下一步的器件优化和工艺 研究提供理论指导。 二、研究内容 1.利用MOCVD（金属有机化学气相沉积）技术生长薄势垒混合阳 极AlGaNGaN材料，优化生长工艺。 2.通过金属化、光刻、蚀刻等技术制备薄势垒混合阳极AlGaNGaN SBD器件，优化制备工艺。 3.对制备好的薄势垒混合阳极AlGaNGaNSBD器件进行性能测 试，包括电流-电压特性、漏电流、反向击穿电压等参数。 4.建立薄势垒混合阳极AlGaNGaNSBD器件的数学模型，研究器 件的物理过程和特性。 5.基于研究结果，优化薄势垒混合阳极AlGaNGaNSBD器件的工