基于ZnO透明导电键合的Ⅲ--ⅤSi混合型激光器研究的开题报告

基于ZnO透明导电键合的Ⅲ--ⅤSi混合型激光器研究的开题报告一、研究背景Ⅲ--Ⅴ族半导体激光器是目前光通信领域中最为主流的激光器之一，其具有高功率、高速、高可靠性等优点，且在各种光通信设备中广泛应用

ZnOⅢ--ⅤSi 基于透明导电键合的混合型激光器研 究的开题报告 一、研究背景 Ⅲ--Ⅴ 族半导体激光器是目前光通信领域中最为主流的激光器之 一，其具有高功率、高速、高可靠性等优点，且在各种光通信设备中广 SiSi 泛应用。而光子学领域中，由于的本质不透明，因此一直没有实现 SiSi 直接打印制作基激光器，这也阻碍了光电子集成技术的发展。因 Ⅲ--ⅤSi 此，研究一种新型的混合型激光器成为当前的研究重点。 二、研究内容及目标 ZnOⅢ--ⅤSi 本课题将基于透明导电键合技术设计制备混合型激光 Ⅲ--ⅤSi 器。其中，族的材料将作为激光器的主体部分，材料将用于光 ZnO 导波导，并以透明导电薄膜作为键合层。 本研究的主要目标包括： 1.Ⅲ--ⅤSi 设计并制备键合结构优良的混合型激光器； 2. 研究激光器的光学特性，如光谱特性、发射功率、波导传输特性 等； 3. 优化激光器的性能，提高其工作稳定性及输出功率； 4. 验证该激光器在光通信领域中的应用前景。 三、研究方法 ZnOⅢ--ⅤSi 本研究使用透明导电键合技术制备混合型激光器，具 体步骤包括： 1.Ⅲ--Ⅴ 制备材料晶片，包括设计外延结构、外延生长、沟槽制作 等步骤；