多约束下寻找关键门的门替换技术缓解NBTI效应的开题报告

多约束下寻找关键门的门替换技术缓解NBTI效应的开题报告开题报告概述在CMOS技术进步的进程中，摩尔定律的预测为更高的器件集成度提供了基础。造成芯片退化的物理现象越来越严重，其中一个主要问题是负极氧化