干法刻蚀和离子注入影响Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱发光特性研究的任务书

干法刻蚀和离子注入影响Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱发光特性研究的任务书任务书一、任务目的本次研究旨在探究干法刻蚀和离子注入对Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱（QW）发光特性的影响。通过系统性的实验和数据分析，研究QW的材