氢谱中影响化学位移的因素

氢谱中影响化学位移的因素1. 取代基电负性越强， 越移向低场图3-18 取代基电负性对质子化学位移的影响表3-6 取代效应多取代效应强于单取代取代效应随着键距的延长而急剧降低去屏蔽效应（deshie

氢谱中影响化学位移的因素 1. 取代基电负性越强，越移向低场 3-18 图取代基电负性对质子化学位移的影响 3-6 表取代效应 多取代效应强于单取代取代效应随着键距的延长而急剧降低 deshield 去屏蔽效应（） 2.sps 相连碳原子的杂化轨道的成分越多，越移向低场 sp “3”0-2 质子δ