论述物理气相沉积和化学气相沉积的优缺点

论述物理气相沉积和化学气相沉积的优缺点 真空蒸镀基本原理是在真空条件下，使金属、金属合金或化合物蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发的方法常用电阻加热，高频感应加热，电子柬、激光束、离子束高能轰击镀

论述物理气相沉积和化学气相沉积的优缺点 真空蒸镀基本原理是在真空条件下，使金属、金属合金或化合物蒸发， 然后沉积在基体表面上，蒸发的方法常用电阻加热，高频感应加热，电子 柬、激光束、离子束高能轰击镀料，使蒸发成气相，然后沉积在基体表面， PVD 历史上，真空蒸镀是法中使用最早的技术。 (Ar) 溅射镀膜基本原理是充氩气的真空条件下，使氩气进行辉光放电， (Ar)(Ar+) 这时氩原子电离成氩离子，氩离子在电场力的作用下，加速轰击 以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。如果采用 (Qc)(RF) 直流辉光放电，称直流溅射，射频辉光放电引起的称射频溅射。 (M) 磁控辉光放电引起的称磁控溅射。电弧等离子体镀膜基本原理是在真 ()() 空条件下，用引弧针引弧，使真空金壁阳极和镀材阴极之间进行弧光放 “” 电，阴极表面快速移动着多个阴极弧斑，不断迅速蒸发甚至异华镀料， 使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体，并能迅速将镀料沉积于基 体。因为有多弧斑，所以也称多弧蒸发离化过程。 离子镀基本原理是在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀 料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上 加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。 物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤： (1) 镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气 化源。 (2) 镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经