SiC中空位缺陷的自旋态与自旋调控的理论研究的任务书

SiC中空位缺陷的自旋态与自旋调控的理论研究的任务书题目：SiC中空位缺陷的自旋态与自旋调控的理论研究的任务书背景介绍：碳化硅（SiC）因其广泛的应用前景，如光电子、半导体电子、能源等领域，受到了广泛