氮化镓HEMT器件栅泄漏电流产生机理研究

摘要摘要GaN 作为典型的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、耐高温及抗辐照等优点。尤其是其与 AlGaN 材料制作的高电子迁移率晶体管（HEMT）具有高的二维电子气浓度及迁移率，在微波大功