碳化硅纳米线的制备与性能研究进展

碳化硅纳米线的制备与性能研究进展×××××××××××××学校 西安 邮编×××摘要： SiC半导体材料的禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、饱和漂移速度高等特点使其在高频、高温、高功率、抗辐射等方面