掺杂GaN,AlN及ZnO的第一性原理研究的开题报告

掺杂GaN,AlN及ZnO的第一性原理研究的开题报告一、研究背景及意义氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，在电子器件、光电器件、传感器等领域有着广泛的应用。为了提高其性能，可以通过掺杂等方法