MOS管栅级热噪声漏电流模型

CMOS器件的等比例缩小发展趋势，导致了栅等效氧化层厚度、栅长度和栅面积都急剧减 小。对于常规体MOSFET，当氧化层厚度＜2 nm时，大量载流子以不同机制通过栅介质形成显 著的栅极漏电流。栅极漏电流