纳米CMOS器件的NBT1效应及其物理模型的开题报告

纳米CMOS器件的NBT1效应及其物理模型的开题报告1. 研究背景CMOS技术在集成电路制造中起着重要作用。纳米CMOS技术以其高集成度、低功耗等优点被广泛应用。但是，纳米CMOS器件存在着一些问题，