分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究

分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究摘要:本文采用分子束外延技术,研究了高铟组分InGaAs薄膜的生长过程和表面形貌特征,探讨了生长参数对结晶质量和组分分布的影响。结果表明,在适当的生长条件下,高铟

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