微电子器件设计

微电子器件设计作业一MOSFET考虑一个理想N沟和P沟MOSFET互补对，要将其设计为偏置相同 时的I—V曲线也相同。器件有相同的氧化层厚度t°x=25nm,相同的 沟道长度L=2|Lim,假设二氧化