硅外延S坑缺陷的研究

硅外延S坑缺陷的研究硅外延（Silicon Epitaxy）是现代半导体工业中的一项重要技术。它是将纯硅晶片放置在硅烷气氛中，使硅原子在纯硅晶片表面形成一层厚度在几纳米至几微米之间的多晶硅层的过程。与