p-i-n结构4H-SiC紫外光电二极管单管及一维阵列研制

摘要 碳化硅(SiC)材料作为高温、高频以及大功率电子器件制备的理想半导体材料， 近年来越来越受到世界各国的广泛关注。由于4H．SiC材料的宽带隙(-3．26 eV)，用其 制备的紫外光电探测器将具有