IGBT驱动电路设计方法
驱动条件1.1驱动电压对于目前的IGBT和MOSFET而言,此电压一般被限定为20 V。推荐使用的栅极驱动电压推荐使用值须达到MOSFET :VGS=+10 VIGBT:V GG+=+15 V, V
IGBT驱动电路设计方法