基于TCAD方法的22纳米非平面器件研究

基于TCAD方法的22纳米非平面器件研究随着半导体工艺的不断发展，器件的尺寸逐渐缩小，同时，处理器和存储器的性能需求也随之不断增加。因此，人们需要设计高性能的22纳米非平面器件来满足需求。近年来，基于