新型半导体材料SiC

新型半导体材料SiC结构及特性使用 Si 器件的传统集成电路大都只能工作在 250℃ 以下，不能满足高温、高功率及高频等要求。SiC 具有独特的物理性质和电学性质，是实现高温、高频、抗辐射相结合器件的