XRD法计算4HSiC外延单晶中的位错密度(1)

万方数据第30卷，第7期 光谱学与光谱分析 CITI--2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难。首先从理论上分析了位错密度对X射线衍射结 高的位错，大大降低了材料的迁移率，对材料的电学特性， 进行表