半导体物理期末总结

载流子：晶体中荷载电流（或传导电流）的粒子，如电子和空穴。空穴：在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下的空位。（价带中不被电子占据的空状态，

载流子 ：晶体中荷载电流（或传导电流）的粒子，如电子和空穴。 空穴 ：在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自 由电子，同时共价键上留下的空位。（价带中不被电子占据的空状态，价带顶附近空穴有效 >0 质量） 杂质的补偿作用 N ：受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到受主能级后， A N-N 施主能级上还有个电子，在杂质全部电离的条件下，它们跃迁到导带中成为导电电子， DA n=N-N≈N,np 这时，半导体是型的；同理型。 DAD 等电子陷阱 ：与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子，它们替代了格点上的同族原子 后，基本上仍是电中性的。由于原子序数不同，这些原子的共价半径和电负性有差别，因而 它们能俘获某种载流子而成为带电中心。 本征半导体 ：晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。 有效质量（物理意义？） + ：电子受到外力原子核势场和其它电子势场力，引入有效质量可以 m* 把加速度和外力直接联系。根据势场的作用由有效质量反映，的正负反 n 应了晶体内部势场的作用。 分布函数 E ：能量为的一量子态被一个电子占据概率为 杂质电离 ：当电子从施主能级跃迁到导带时产生导带电子；当电子从价带激发到受主 能级时产生价带空穴等。 费米能级的意义： Tnp 当它和温度、半导体材料的导电类型、，杂质的含量以及能量零点 EET 选取有关。是一个很重要的物理参数，只要知道数值，在特定下，电子在各量子 FF E 态上的统计分布就完全确定。统计理论表明，热力学上费米能级是系统的化学势。费米 F Fermi 能级位置直观地标志了电子占据量子态情况。固体物理中处于基态的单个粒子所具 —Fermi 有的最大能量粒子所占据的最高能级的能量。费米能级标志了电子填充能级的水平。 ,E 对一系统而言位置较高，有较多的能量较高的量子态上有电子。 F 杂质散射和格波散射： 1 （）杂质电离后是一个带电离子，施主电离后带正电，受主电离后 带负电。在电离施主或受主周围形成一个库仑势场，局部地破坏周期性势场，是使载流子散 2 射的附加势场。（）Ｔ定，晶格中原子都各自在其平衡位置附近作微振动。晶格中原子 — 的振动都是由若干不同的基波格波按照波的叠加原理组合而成，声学波声子往往起着交换 动量的作用，光学波交换能量。非弹性散射，主要是长波。