金属SiC半导体接触的SiC表面等离子体改性研究

金属SiC半导体接触的SiC表面等离子体改性研究概述SiC（碳化硅）是一种新型的半导体材料，在高功率和高温度条件下有着广泛的应用前景。然而，用于SiC器件的金属接触通常会受到电子束轰击或离子注入等方法