PECVD氮化硅薄膜的性能对太阳能电池的影响分析

PECVD氮化硅薄膜的性能对太阳能电池的影响分析摘 要作为一种器件表面介质膜，SiNx薄膜已被广泛应用于IC以及太阳能光伏器件的制造中。在高效太阳能电池研究中，发射结表面钝化和减反射一直是其研究的主题

PECVD 氮化硅薄膜的性能对太阳能电池的影响 分析 摘要 SiNxIC 作为一种器件表面介质膜，薄膜已被广泛应用于以及太 阳能光伏器件的制造中。在高效太阳能电池研究中，发射结表面钝 化和减反射一直是其研究的主题。电池正面发射结不仅要求表面钝 化层有优良的钝化性能，同时也要求介质层能够与表面层减反射膜 一起产生很好的减反射效果，从而进一步提高太阳电池器件的光生 电流、开路电压以及电池效率。 本文阐述了高效太阳电池研究中正面发射结上的钝化与减反射 PECVDSiNxH 工艺与原理，重点对法制备的钝化机制，钝化进行 PECVDPECVD 了详细的分析。主要对生产中常使用的管式和板式 (WT2000 制备的薄膜，通过少子寿命测试仪）检测少子寿命，椭偏仪 HF 测试膜厚和折射率，积分反射仪测试反射率以及利用腐蚀来检验 PECVD 薄膜致密性等手段对薄膜性能进行了分析和比较。又对板式 制备薄膜条件进行了优化。研究发现，氮化硅最佳的沉积条件是： 370℃SiH:NH=500:16003min 温度，，时间；获得了沉积氮化硅后硅 43 片少子寿命高钝化效果好、膜厚与折射率搭配好反射率低的工艺条 件。 PECVD ：氮化硅薄膜；；减反膜；钝化；太阳能电池 关键词