Si基GaN HEMT非线性模型研究的开题报告

Si基GaN HEMT非线性模型研究的开题报告一、选题背景和意义大量数据传输、存储和处理使得高速可靠的电子元器件的需求越来越迫切，而GaN HEMT作为一种性能更加出色的半导体材料被广泛研究并运用于射