黄昆班-半导体物理基础复习
m0=9.109 382 15(45) × 10^(-31) kgKBT=0.026eV (T=300K)h=6.62606__6（33）×10^（-34）J·s KB=1.3806488(13)×1
m=9.10938215(45)×10^(-31)kg 0 KT=0.026eV(T=300K) B h=6.62606__633×10^-34J·s （）（） K=1.3806488(13)×10^-23J/K B Chapter1 1. 熟悉常见的半导体的三种晶体结构，并理解他们的解离特性并标注闪锌矿结构 GaAs （如）原子坐标。 1) 金刚石结构： 44 硅、锗；以共价键结合的正四面体，通过个顶角原子又组成个正四面 体，这样的累积形成了金刚石型结构； 由两个面心立方结构套构而成； 8 每个晶胞中的原子个数： (000)(½0½),(0½½),(½½0),(¼¼¼),(¾¾ 每个原子坐标：， ¼),(¼¾¾),(¾¼¾) 4 近邻原子数或配位数： 2) 闪锌矿 GaAsInPZnSeCdTe 、、、 8 每个晶胞中的原子个数？ (000)As(½0½)As,(0½½)As,(½½0)As,(¼¼ 每个原子坐标：， ¼)Ga,(¾¾¼)Ga,(¼¾¾)Ga,(¾¼¾)Ga 4() 近邻原子数或配位数：四面体结构 3) 纤锌矿（六方晶系） GaNZnO 、 12 纤锌矿结构也由两个密排六方结构套构而成？每个晶胞中的原子个数：
