808nm无铝GaAsP量子阱大功率半导体激光器的制备与研究的任务书

808nm无铝GaAsP量子阱大功率半导体激光器的制备与研究的任务书一、研究任务本研究的主要任务是制备并研究808nm无铝GaAsP量子阱大功率半导体激光器。具体任务如下：1. 设计制备方案：根据已有