掺杂A1N稀磁半导体磁性的第一性原理计算的开题报告

掺杂A1N稀磁半导体磁性的第一性原理计算的开题报告题目：掺杂A1N稀磁半导体磁性的第一性原理计算一、研究背景和意义A1N是一种重要的III-V族化合物半导体材料，具有很好的光电性能和热稳定性。近年来，