氮化物宽禁带半导体材料与电子器件

氮化物宽禁带半导体材料与电子器件　　宽禁带半导体材料及其器件应用新发展　　摘要：近几年以SiC为代表的宽禁带半导体材料以其宽的禁带宽度、高的击穿场强、高饱和漂移速度和高热导率，小介电常数和高的电子