半导体物理器件集成电路 清华大学考研真题

2011年清华大学研究生入学考试半导体物理、器件及集成电路试题150分，180分钟（请将答案写在答题纸上）图示比较BJT和MOSFET饱和区，解释其产生物理机制（15分）列举MOSFET由于尺寸缩小引