InGaNGaN多量子阱输运及复合机制的光谱学研究的任务书

InGaNGaN多量子阱输运及复合机制的光谱学研究的任务书任务书题目：InGaNGaN多量子阱输运及复合机制的光谱学研究研究背景氮化镓（GaN）材料因其卓越的光电学性能，如高电子迁移率、高饱和电流密度