绝缘层上Ge(GOI)材料及Si基Ge波导型探测器研究的开题报告

绝缘层上Ge(GOI)材料及Si基Ge波导型探测器研究的开题报告一、研究背景随着通信和数据传输速率的不断提高，高速和高频传输对探测器的性能提出了更高的要求。传统的硅探测器在高频应用时面临着一系列问题，