采用HVPE生长自支撑GaN衬底

1.4 采用HVPE生长自支撑GaN衬底冃前，HVPE是广泛研究和使用的生长GaN单晶的技术，它的生长速度是可以超过lmm/h。 同吋宀长过程都是在常压条件，这些优势使得制备大规模自支W GaN衬底得