（毕业论文）基于Silvaco TCAD的4H-SiC功率BJT器件仿真

基于Silvaco TCAD的4H-SiC功率BJT器件仿真[摘要] 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性,使其在高温、大功率、高频、抗辐射等领域