GaAs和InP单晶材料的发展施工企业管理论文

GaAs和InP单晶材料的发展施工企业管理论文 GaAs和InP与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电