半导体物理第六、七篇习题答案

第六章课后习题解析1.一个Ge突变结的p区n区掺杂浓度分别为NA=1017cm-3和ND=51015cm-3，该pn结室温下的自建电势。解：pn结的自建电势 已知室温下，eV，Ge的本征载流子密