氮化物宽禁带半导体量子阱、量子点杂质态的电子特性研究的开题报告

氮化物宽禁带半导体量子阱、量子点杂质态的电子特性研究的开题报告一、研究背景氮化物宽禁带半导体（Wide-gap Nitride Semiconductors，WNS）由于其独特的特性，被广泛应用于光学