MOS晶体管击穿特性研究

微电子器件课程设计MOS晶体管击穿特性研究班级：微电子0901学号：******姓名：***指导老师：****日期：2012.5.20一、目的研究MOSFET漏源极击穿特性，主要包括：1.验证掺杂浓度