单晶硅直拉法降氧实验进展报告

降氧试验进展报告汇报人：王思锋一、试验目的：降低单晶硅晶棒头部氧含量。二、降氧原理：在CZ 法生长中, 氧不行避开地掺入硅单晶。其途径是氧从石英(SiO2) 坩埚溶解进入硅熔体, 溶解的氧经由熔体的对