电沉积法制备ZnO薄膜的研究进展

电沉积法制备ZnO薄膜的研究进展摘要：ZnO是一种新型的宽禁带氧化物半导体材料，室温下的禁带宽度为3.37 eV，激子结合能为60meV。因ZnO薄膜同时具有光电、压电、电光等化学物理性能，使其在紫外